11月13至14日，2025年“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第二十屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果發(fā)布儀式舉行。儀式上，西安高新區(qū)企業(yè)紫光國芯“適配大模型應(yīng)用的四層3D堆疊DRAM芯片(SeDRAM-P300)”產(chǎn)品憑借突出的技術(shù)創(chuàng)新能力，榮獲“中國芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎(jiǎng)。

　　據(jù)了解，此次“中國芯”活動(dòng)的所有獎(jiǎng)項(xiàng)中，“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎(jiǎng)規(guī)格最高，旨在授予本年度在技術(shù)創(chuàng)新、市場占有率、填補(bǔ)國內(nèi)技術(shù)或市場空白，國際競爭力及產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)等方面均有重大突破的單款芯片產(chǎn)品。本屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品共征集到來自303家芯片企業(yè)的410款芯片產(chǎn)品報(bào)名，產(chǎn)品基本覆蓋整個(gè)集成電路領(lǐng)域。其中，“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎(jiǎng)僅有三款芯片入選，紫光國芯憑借其產(chǎn)品實(shí)力獲此殊榮。

　　本次獲獎(jiǎng)的紫光國芯SeDRAM-P300產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款采用“四層DRAM堆疊”三維集成(WoW)技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的產(chǎn)品方案，該產(chǎn)品通過創(chuàng)新的技術(shù)路徑，助力芯片性能實(shí)現(xiàn)極致釋放。 SeDRAM-P300芯片采用業(yè)界領(lǐng)先的四層晶圓堆疊(WoW)三維架構(gòu)，前瞻性兼容8層堆疊。產(chǎn)品以標(biāo)準(zhǔn)化IP模式交付，具備卓越的易集成性，可兼容適配主流SoC設(shè)計(jì)流程。

　　“紫光國芯三維堆疊DRAM(SeDRAM®)技術(shù)歷經(jīng)超過十年的技術(shù)積累與多代產(chǎn)品迭代，始終保持在行業(yè)的領(lǐng)先地位。”紫光國芯業(yè)務(wù)總經(jīng)理左豐國表示，榮獲此獎(jiǎng)，是業(yè)界對(duì)我們過往技術(shù)成果的高度認(rèn)可，更是對(duì)公司創(chuàng)新實(shí)力與產(chǎn)業(yè)影響力的充分肯定。公司將依托SeDRAM®技術(shù)優(yōu)勢，持續(xù)創(chuàng)新，不斷強(qiáng)化其市場競爭力，為用戶提供高性能存儲(chǔ)解決方案。

　　紫光國芯SeDRAM®技術(shù)已支持近40款芯片產(chǎn)品的研發(fā)與量產(chǎn)，憑借領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力和成熟的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)可持續(xù)為客戶提供最優(yōu)解決方案。(張楚翌 高新融媒記者 李聰迎 內(nèi)容來源：紫光國芯)